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AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn),半導(dǎo)體器件檢測

簡要描述:廣電計(jì)量AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn),半導(dǎo)體器件檢測在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時(shí),我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗(yàn)服務(wù),設(shè)備能力覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰Α?/p>

  • 廠商性質(zhì):工程商
  • 更新時(shí)間:2024-11-06
  • 訪問次數(shù):821

詳細(xì)介紹

服務(wù)區(qū)域全國服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS
服務(wù)周期2-3個(gè)月服務(wù)費(fèi)用視具體項(xiàng)目而定

服務(wù)背景

AEC-Q101對對各類半導(dǎo)體分立器件的車用可靠性要求進(jìn)行了梳理。AEC-Q101試驗(yàn)不僅是對元器件可靠性的國際通用報(bào)告,更是打開車載供應(yīng)鏈的敲門磚。 廣電計(jì)量AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn),半導(dǎo)體器件檢測在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時(shí),我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗(yàn)服務(wù),設(shè)備能力覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰Α?/p>

隨著技術(shù)的進(jìn)步,各類半導(dǎo)體功率器件開始由實(shí)驗(yàn)室階段走向商業(yè)應(yīng)用,尤其以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化的腳步加快。但車用分立器件市場均被國外所把控,國產(chǎn)器件很難分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到認(rèn)可。
測試周期
廣電計(jì)量AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn),半導(dǎo)體器件檢測周期:2-3個(gè)月,提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測試等服務(wù)
產(chǎn)品范圍
二、三極管、晶體管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、閘流管等半導(dǎo)體分立器件
測試項(xiàng)目
序號 測試項(xiàng)目 縮寫 樣品數(shù)/批 批數(shù) 測試方法
1 Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test TEST 所有應(yīng)力試驗(yàn)前后均進(jìn)行測試 用戶規(guī)范或供應(yīng)商的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2 Pre-conditioning PC SMD產(chǎn)品在7、8、9和10試驗(yàn)前預(yù)處理 JESD22-A113
3 External Visual EV 每項(xiàng)試驗(yàn)前后均進(jìn)行測試 JESD22-B101
4 Parametric Verification PV 25 3 Note A 用戶規(guī)范
5 High Temperature
Reverse Bias
HTRB 77 3 Note B MIL-STD-750-1
M1038 Method A
5a AC blocking
voltage
ACBV 77 3 Note B MIL-STD-750-1
M1040 Test Condition A
5b High Temperature
Forward Bias
HTFB 77 3 Note B JESD22
A-108
5c Steady State
Operational
SSOP 77 3 Note B MIL-STD-750-1
M1038 Condition B(Zeners)
6 High Temperature
Gate Bias
HTGB 77 3 Note B JESD22
A-108
7 Temperature
Cycling
TC 77 3 Note B JESD22
A-104
Appendix 6
7a Temperature
Cycling Hot Test
TCHT 77 3 Note B JESD22
A-104
Appendix 6
7a
alt
TC Delamination
Test
TCDT 77 3 Note B JESD22
A-104
Appendix 6
J-STD-035
7b Wire Bond Integrity WBI 5 3 Note B MIL-STD-750
Method 2037
8 Unbiased Highly
Accelerated Stress
Test
UHAST 77 3 Note B JESD22
A-118
8
alt
Autoclave AC 77 3 Note B JESD22
A-102
9 Highly Accelerated
Stress Test
HAST 77 3 Note B JESD22
A-110
9
alt
High Humidity
High Temp.
Reverse Bias
H3TRB 77 3 Note B JESD22
A-101
10 Intermittent
Operational Life
IOL 77 3 Note B MIL-STD-750
Method 1037
10
alt
Power and
Temperature Cycle
PTC 77 3 Note B JESD22
A-105
11 ESD
Characterization
ESD 30 HBM 1 AEC-Q101-001
30 CDM 1 AEC-Q101-005
12 Destructive
Physical Analysis
DPA 2 1 NoteB AEC-Q101-004
Section 4
13 Physical
Dimension
PD 30 1 JESD22
B-100
14 Terminal Strength TS 30 1 MIL-STD-750
Method 2036
15 Resistance to
Solvents
RTS 30 1 JESD22
B-107
16 Constant Acceleration CA 30 1 MIL-STD-750
Method 2006
17 Vibration Variable
Frequency
VVF 項(xiàng)目16至19是密封包裝的順序測試。 (請參閱圖例頁面上的注釋H.) JEDEC
JESD22-B103
18 Mechanical
Shock
MS     JEDEC
JESD22-B104
19 Hermeticity HER     JESD22-A109
20 Resistance to
Solder Heat
RSH 30 1 JESD22
A-111 (SMD)
B-106 (PTH)
21 Solderability SD 10 1 Note B J-STD-002
JESD22B102
22 Thermal
Resistance
TR 10 1 JESD24-3,24-4,26-6視情況而定
23 Wire Bond
Strength
WBS 最少5個(gè)器件的10條焊線 1 MIL-STD-750
Method 2037
24 Bond Shear BS 最少5個(gè)器件的10條焊線 1 AEC-Q101-003
25 Die Shear DS 5 1 MIL-STD-750
Method 2017
26 Unclamped
Inductive
Switching
UIS 5 1 AEC-Q101-004
Section 2
27 Dielectric Integrity DI 5 1 AEC-Q101-004
Section 3
28 Short Circuit
Reliability
Characterization
SCR 10 3 Note B AEC-Q101-006
29 Lead Free LF     AEC-Q005
 

 

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