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簡要描述:第三代半導體器件全參數(shù)測試 電力電子器件:廣電計量專家團隊深入解讀IGBT測試相關標準,建立功率模塊可靠性驗證技術能力,可以為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供具有專業(yè)性的IGBT及第三代半導體器件全參數(shù)測試驗證報告。
詳細介紹
品牌 | 廣電計量 |
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服務范圍
第三代半導體器件全參數(shù)測試 電力電子器件:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分立器件,以及上述元件構成的功率模塊。
檢測標準
l AEC-Q101分立器件認證
l MIL-STD-750半導體器件試驗?法
l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices
l GB/T29332半導體器件-分立器件-第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
l AQG324功率模塊?規(guī)認證
檢測項目
試驗類型 | 試驗項? |
靜態(tài)參數(shù) | BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)… |
動態(tài)參數(shù) | td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE… |
其他參數(shù) | Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA… |
相關資質(zhì)
CNAS
服務背景
第三代半導體器件全參數(shù)測試 電力電子器件:功率器件在新能源汽車、智能電網(wǎng)等領域有廣泛應用,其中,IGBT技術瓶頸不斷被打破,第三代半導體功率器件也開始由實驗室階段步?商業(yè)應用。通常這些新型器件測試要求更?的電壓和功率?平,更快的開關時間,對測試設備及人員技術要求?,在研發(fā)時間與成本的雙重壓力下,全參數(shù)測試成為不少制造商的難題。
我們的優(yōu)勢
廣電計量積極布局新型IGBT及第三代半導體功率器件的測試業(yè)務,引進先進的測試技術,為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測服務。同時,廣電計量通過構筑檢測認證與分析?體化平臺,為客?提供器件可靠性驗證及失效分析,幫助客戶分析失效機理,指導產(chǎn)品設計及?藝改進。
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