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功率器件失效根因分析,電子器件測試

簡要描述:功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的,也是特性參數(shù)測試無法評估的,失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量功率器件失效根因分析,電子器件測試擁有業(yè)界專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備,專注功率器件失效根因分析,可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)。

  • 廠商性質(zhì):工程商
  • 更新時(shí)間:2024-11-06
  • 訪問次數(shù):774

詳細(xì)介紹

品牌廣電計(jì)量服務(wù)區(qū)域全國
服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS服務(wù)周期常規(guī)5-7個(gè)工作日
服務(wù)費(fèi)用視具體項(xiàng)目而定

服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分?器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

檢測標(biāo)準(zhǔn)

l  GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序

l  GJB8897-2017J用電子元器件失效分析要求與?法

l  QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求

檢測項(xiàng)目

試驗(yàn)類型試驗(yàn)項(xiàng)?
?損分析X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡
電特性/電性定位分析電參數(shù)測試、IV&CV 曲線量測、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗(yàn)證
破壞性分析開封、去層、切?、芯?級(jí)切片、推拉力測試
微觀顯微分析DB FIB切?截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

受益于國產(chǎn)替代趨勢,國內(nèi)功率器件廠商迎來了大的發(fā)展機(jī)會(huì)。在成長中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效,并在設(shè)計(jì)、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn),以迅速占領(lǐng)市場。廣電計(jì)量提供功率器件失效根因分析,電子器件測試服務(wù)。

我們的優(yōu)勢

廣電計(jì)量功率器件失效根因分析,電子器件測試擁有業(yè)界專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備,專注功率器件失效根因分析,可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù),針對產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來料檢驗(yàn)、加?組裝、測試篩選、客?端使?等各個(gè)環(huán)節(jié),為客?提供失效分析咨詢、協(xié)助客?開展設(shè)計(jì)規(guī)劃、以及分析測試服務(wù)。


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