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芯片被稱為信息產(chǎn)業(yè)的糧食和“大腦"，是信息社會(huì)的基石，在信息化、智能化不斷加快的今天，芯片已經(jīng)成為戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)?？梢哉f(shuō)，芯片作為支撐中國(guó)經(jīng)濟(jì)持續(xù)高質(zhì)量發(fā)展、特別是支撐戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)崛起，其地位更是難以替代。然而，芯片制造是一項(xiàng)極為復(fù)雜和精細(xì)的工藝，很多重要環(huán)節(jié)都需要精密的檢測(cè)手段發(fā)現(xiàn)缺陷。本期“專家訪談"欄目邀請(qǐng)半導(dǎo)體顯微技術(shù)大咖、無(wú)錫廣電計(jì)量副總經(jīng)理陳振博士，暢談電子顯微技術(shù)在芯片、半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用，破解芯片制造難題。
陳 振
無(wú)錫廣電計(jì)量副總經(jīng)理
復(fù)旦大學(xué)博士，上海“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃"專業(yè)技術(shù)服務(wù)平臺(tái)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，江蘇省第三代半導(dǎo)體器件性能測(cè)試與材料分析工程研究中心副主任，南京大學(xué)和西安電子科技大學(xué)碩士研究生兼職導(dǎo)師，所主持的先進(jìn)制程芯片顯微分析項(xiàng)目獲得2023年度上海市“十項(xiàng)檢驗(yàn)檢測(cè)創(chuàng)新案例"。
精通多種顯微分析技術(shù)，在顯微分析技術(shù)領(lǐng)域擁有近10年的研究積累，主要從事半導(dǎo)體材料及工藝的顯微分析、芯片失效分析等相關(guān)技術(shù)的研究與工程應(yīng)用工作，具有豐富的為晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計(jì)公司等提供半導(dǎo)體分析檢測(cè)服務(wù)的經(jīng)驗(yàn)。參與多項(xiàng)GJ級(jí)研究課題，發(fā)表SCI論文及英文論著十多篇。
隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片結(jié)構(gòu)和功能日益復(fù)雜，芯片的制造難度也日益增加，新材料、新工藝的導(dǎo)入為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和制造帶來(lái)了全新的挑戰(zhàn)，特別是工藝制程不斷迭代，芯片關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的尺寸逐漸減小到常規(guī)檢測(cè)手段無(wú)法觀測(cè)的納米級(jí)尺寸。芯片晶圓制造工藝中的微納結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)分析，是提升芯片制造良率和產(chǎn)品性能的關(guān)鍵，也成為芯片晶圓制造行業(yè)普遍關(guān)注的問(wèn)題。
芯片良率就是晶圓上合格芯片數(shù)量與芯片總數(shù)的比值，這個(gè)數(shù)值越大，說(shuō)明有用芯片數(shù)量越多，浪費(fèi)越少，成本也就越低，利潤(rùn)越高。芯片制造的每一個(gè)階段，從晶圓制造、中測(cè)、封裝到成測(cè)，每一步都會(huì)對(duì)總良率產(chǎn)生影響。
芯片良率如此重要，全行業(yè)都非常關(guān)注，晶圓廠、IC設(shè)計(jì)企業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備和材料廠商，以及行業(yè)科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行各種研究探索，為提升芯片良率添磚加瓦。在此背景下，分辨率可達(dá)到原子尺度的電子顯微技術(shù)，如透射電子顯微鏡（TEM）等，就成為了芯片制造工藝監(jiān)控、失效分析、良率提升、工藝研發(fā)和失效分析不可少的工具。
人眼的分辨能力大概只能到0.1-0.2mm，光學(xué)顯微鏡的分辨能力大概只能到0.2um左右，如果想觀察更微小的結(jié)構(gòu)，就需要借助到基于電子顯微技術(shù)的電子顯微鏡去實(shí)現(xiàn)。電子顯微鏡是一種借助電子束作為光源，利用電磁透鏡聚焦成像的科學(xué)儀器。它能讓人看到納米級(jí)的微觀世界，近些年發(fā)展的高分辨透射電子顯微鏡甚至可以讓人看到皮米級(jí)的原子像。電子顯微鏡的出現(xiàn)，把人們由宏觀世界引入到了微觀世界，極大的促進(jìn)了當(dāng)代科技的發(fā)展。
在工業(yè)發(fā)展中，電子顯微鏡是工業(yè)的“眼睛"，尤其是高科技相關(guān)領(lǐng)域的工業(yè)應(yīng)用中，電子顯微鏡可以說(shuō)具有極其重要的地位。電子顯微鏡常見(jiàn)的主要有三種，分別是透射電子顯微鏡（TEM）、掃描電子顯微鏡（SEM）和聚焦離子束電子顯微鏡（FIB）。透射電子顯微鏡（TEM）曾被《科技日?qǐng)?bào)》評(píng)為制約我國(guó)工業(yè)發(fā)展的35項(xiàng)“卡脖子"技術(shù)之一，可見(jiàn)其在工業(yè)應(yīng)用中具有舉足輕重的地位。
在芯片領(lǐng)域，為了不斷提升芯片性能，制造商們需要將芯片內(nèi)部的晶體管陣列設(shè)計(jì)得如同城市網(wǎng)絡(luò)般復(fù)雜紛繁，達(dá)到在芯片中容納更多晶體管的目的。因此，晶體管尺寸被設(shè)計(jì)得越來(lái)越小，它們之間的距離也靠得越來(lái)越近。如此精密的設(shè)計(jì)與排布，也令到行業(yè)遇到一個(gè)難題：如何才能在不破壞芯片的前提下，去觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)？電子顯微鏡的應(yīng)用，讓工程師們能夠看清楚芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，確保完工的芯片結(jié)構(gòu)與最初的設(shè)計(jì)相吻合。
基于電子顯微技術(shù)的電子顯微鏡，如透射電子顯微鏡、聚焦離子束電子顯微鏡等，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域具有非常廣泛的用途，如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析等，成為了精準(zhǔn)解析先進(jìn)制程晶圓制造工藝中微納結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵設(shè)備。
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域如芯片的晶圓制造領(lǐng)域，電子顯微鏡通常會(huì)作為新工藝研發(fā)、量產(chǎn)導(dǎo)入驗(yàn)證、量產(chǎn)工藝監(jiān)控、量產(chǎn)良率提升和失效分析的分析手段，電子顯微鏡的使用，貫穿于大部分關(guān)鍵的芯片晶圓制造工藝段，如刻蝕、薄膜生長(zhǎng)等工藝段，可以說(shuō)，電子顯微鏡是工程師的眼睛，工藝監(jiān)控和調(diào)整，時(shí)刻離不開(kāi)電子顯微鏡的輔助。
除了應(yīng)用在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域外，電子顯微鏡還在半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)、新材料研發(fā)、新型微納器件研發(fā)制造等領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用。
在半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域，尤其是刻蝕設(shè)備和薄膜生長(zhǎng)設(shè)備的研發(fā)，電子顯微鏡也充當(dāng)了工程師的眼睛，是工程師驗(yàn)證設(shè)備性能的關(guān)鍵分析手段。
在新材料研發(fā)領(lǐng)域，如鐵電材料、超導(dǎo)材料、新型電極材料、特種合金材料的研發(fā)等，電子顯微鏡也是關(guān)鍵的分析手段，可以借助電子顯微鏡的電子衍射、電子能量損失譜、電子能譜儀、高分辨成像等從極微觀的角度來(lái)分析材料的基本特性，包括原子組成、原子構(gòu)效關(guān)系、晶體結(jié)構(gòu)、微區(qū)化學(xué)成分等，從而指導(dǎo)新型材料的研發(fā)。
在新型微納器件研發(fā)制造領(lǐng)域，如半導(dǎo)體器件MEMS、激光器芯片、量子芯片等，電子顯微鏡也是輔助人們進(jìn)行微納結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、解剖、性能優(yōu)化和量產(chǎn)良率提升的關(guān)鍵手段。
聚焦顯微分析技術(shù)領(lǐng)域 找準(zhǔn)“中國(guó)芯"對(duì)策
4nm制程晶圓級(jí)TEM分析圖
國(guó)家正大力攻關(guān)集成電路領(lǐng)域，著力解決高級(jí)芯片 “卡脖子"問(wèn)題，加快自主創(chuàng)新步伐。廣電計(jì)量擁有透射電子顯微鏡（TEM）、雙束聚焦離子束（DB FIB）、掃描電子顯微鏡（SEM）等電子顯微分析常用到的高級(jí)設(shè)備，在半導(dǎo)體顯微分析相關(guān)領(lǐng)域具有豐富的經(jīng)驗(yàn)，能夠更好地服務(wù)我國(guó)芯片設(shè)計(jì)及制造企業(yè)，保障自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)安全。
在晶圓制造工藝分析方面，可以提供4nm及以上先進(jìn)制程晶圓制造工藝分析、存儲(chǔ)芯片晶圓制造工藝分析等；
在芯片失效分析方面，可以提供芯片失效點(diǎn)位置微觀形貌及微區(qū)成分分析，包含漏電、短路、燒毀、異物等異常失效點(diǎn)位的平面制樣分析、截面制樣分析以及平面轉(zhuǎn)截面分析。包含形貌觀察、尺寸量測(cè)、微區(qū)成分分析，可精準(zhǔn)到1.0 nm以內(nèi)；
在芯片逆向分析方面，可以提供各種半導(dǎo)體器件關(guān)鍵微納結(jié)構(gòu)的解析能力，包括關(guān)鍵工藝結(jié)構(gòu)解剖、尺寸量測(cè)、微區(qū)結(jié)構(gòu)成分分析等；
在封裝工藝分析方面，可以提供封裝工藝異常分析，如TSV孔、Via孔、RDL布線層、凸點(diǎn)等異常分析；在半導(dǎo)體工藝分析方面，可以提供刻蝕設(shè)備工藝、成膜設(shè)備工藝的異常分析；
在材料分析方面，可以提供高分辨原子級(jí)成像分析、微區(qū)材料成分定性分析、晶格缺陷分析、析出相分析等。
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